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型号 SI5517DU-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK
SI5517DU-T1-E3 PDF
代理商 SI5517DU-T1-E3
产品目录绘图 DU, DP-T1-E3 8-PowerPAK, P-PAK
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.2A，4.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 39 毫欧 @ 4.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 520pF @ 10V
功率 - 最大 2.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装 PowerPAK? ChipFet 双
包装 标准包装
其它名称 SI5517DU-T1-E3DKR
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